CMP PAD
반도체 CMP 에서 사용되는 Polishing Pad
특성
- CMP(Chemical Mecanical Polishing) 화학적 기계적 연마 : 웨이퍼를 연마PAD의 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 Slurry를 공습하여 Wafer 표면을 화학적으로 반응시키면서 Head와 Polishing Table을 상대 운동시켜 지계적으로 Wafer의 요철부분을 평탄화 하는 기술
- Wafer에 직접적으로 접촉이 있는 제품으로 재질은 일반적으로 Polyurethane을 사용.
제품
- CMP Pad
Point of Control
• Polymer Chemistry
- Hardness
- Adrasion Resistance
• Fiber Sizes and Orientation
- Fiber Type
- Fiber Density
- Fiber Size
- Fiber Pattern
• Porosity Control
- Fiber : Polymer Ratio
• Boundary Location
- Porous : Solid Ratio