특성
- CMP(Chemical Mechanical Polishing) 화학적 기계적 연마는 반도체 8대 공정 중에 하나로 화학적 기계적인 원리를 이용하여 Wafer 표면을 연마PAD의 표면에 가압하여 접촉하도록 한 상태에서 Slurry를 접촉계면 사이에 공급하여 Wafer 표면을 화학적으로 반응시킨 상태에서 Slurry내부의 Abrasive입자를 이용하여 Head와 Polishing Platen을 상대 운동시켜 기계적으로 Wafer의 표면 또는 단차를 제거하여 평탄화 하는 기술이다. 이러한 CMP 공정 중에 필수적으로 적용되는 소모품이 CMP PAD이다.
- CMP Pad는 Wafer 표면에 직접적으로 접촉을 하는 제품이며 재질은 일반적으로 Polyurethane을 사용하여 경화 시켜 성형한다.