特征
- CMP（化学机械抛光），化学机械抛光：在晶片与抛光PAD表面接触的同时切片，同时使WAFER表面发生化学反应，并相互移动抛光头和抛光台技术用于机械平整不平坦部分WAFER

- 与WAFER直接接触的材料通常使用聚氨酯。